מספר מוצר של יצרן:
TSM4NC60CI C0G
Product Overview
יצרן:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
TSM4NC60CI C0G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 4A ITO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 40W (Tc) Through Hole ITO-220AB
מלאי:
12895445
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TSM4NC60CI C0G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Taiwan Semiconductor
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.5Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
18 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
654 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
40W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
ITO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
מידע נוסף
שמות אחרים
TSM4NC60CIC0G
TSM4NC60CI C0G-DG
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMTH4007SPSQ-13
MOSFET N-CH 40V 15.7A PWRDI5060
DMP213DUFA-7B
MOSFET P-CH 25V 145MA 3DFN
TSM80N1R2CL C0G
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO262S
